雙向可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊，當(dāng)可控硅損壞后需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，下面昆二晶小編教你4個(gè)小妙招，讓你快速判別雙向可控硅模塊損壞原因。
         1、電壓擊穿，雙向可控硅因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見(jiàn)，其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。
         2、電流損壞，電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。
         3、電流上升率損壞，其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。
         4、邊緣損壞，他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔，用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕，它導(dǎo)致電壓擊穿。

         關(guān)于判別雙向可控硅模塊損壞原因的相關(guān)介紹，文中已經(jīng)講解的比較清楚了，大家可以大體了解一下，希望對(duì)您有所幫助，如果還有什么疑問(wèn)請(qǐng)繼續(xù)關(guān)注我們的網(wǎng)站。
         昆二晶雙向可控硅模塊永遠(yuǎn)只比對(duì)手多一點(diǎn)，就是多為客戶考慮一點(diǎn)。若對(duì)我們的雙向可控硅模塊有興趣或存在疑惑，昆二晶歡迎您咨詢，咨詢電話：0577-62627555。我們竭誠(chéng)為您服務(wù)。