雙向可控硅模塊又稱為晶閘管模塊，目前使用較多的是雙向可控硅模塊；雙向可控硅模塊具有體積小、結(jié)構(gòu)相對來說簡單以及功能性強(qiáng)、重量輕等優(yōu)點(diǎn)。

    但是，雙向可控硅模塊本身也是存在著抗干擾能力差、在控制大電感負(fù)載時(shí)會干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點(diǎn)，今天，昆二晶的小編就和大家看看怎樣來避免雙向可控硅模塊的這些缺點(diǎn)：
    一 、靈敏度
    雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通，
    二 、雙向可控硅模塊過載的保護(hù)
    雙向可控硅模塊優(yōu)點(diǎn)很多，但是它過載能力差，短時(shí)間的過流，過壓都會造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有：
    1、雙向可控硅模塊外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用;
    2、雙向可控硅模塊的通態(tài)平均電流從安 全角度考慮一般按極 大電流的1.5～2倍來取;
    3、雙向可控硅模塊為保證控制極可靠觸發(fā)，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值。
    三、雙向可控硅模塊控制大電感負(fù)載時(shí)的干擾電網(wǎng)和自干擾的解決方法
    雙向可控硅模塊控制大電感負(fù)載時(shí)會有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象，其原因是當(dāng)雙向可控硅模塊控制一個(gè)連接電感性負(fù)載的電路斷開或閉合時(shí)，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率極大，因此在電感上產(chǎn)生一個(gè)高電壓，這個(gè)電壓通過電源的內(nèi)阻加在開關(guān)觸點(diǎn)的兩端，然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必 須的電壓為止，在這一過程中將產(chǎn)生極大的脈沖束。
    以上，便是雙向可控硅模塊廠家昆二晶給大家整理的如何避免可控硅模塊缺點(diǎn)的信息，希望對大家有所幫助！
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