在實(shí)際晶閘管模塊電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)，常稱(chēng)為RC阻容吸收電路。
       我們知道，晶閘管模塊有一個(gè)重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管模塊在額定結(jié)溫和門(mén)極斷路條件下，使晶閘管模塊從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的最低電壓上升率。若電壓上升率過(guò)大，超過(guò)了晶閘管模塊的電壓上升率的值，則會(huì)在無(wú)門(mén)極信號(hào)的情況下開(kāi)通。即使此時(shí)加于晶閘管模塊的正向電壓低于其陽(yáng)極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榫чl管模塊可以看作是由三個(gè)PN結(jié)組成。

       在晶閘管模塊處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容C0。當(dāng)晶閘管陽(yáng)極電壓變化時(shí)，便會(huì)有充電電流流過(guò)電容C0，并通過(guò)J3結(jié)，這個(gè)電流起了門(mén)極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管模塊在關(guān)斷時(shí)，陽(yáng)極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門(mén)極在沒(méi)有觸發(fā)信號(hào)的情況下，晶閘管誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說(shuō)的硬開(kāi)通，這是不允許的。因此，對(duì)加到晶閘管模塊上的陽(yáng)極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。
       為了限制電路電壓上升率過(guò)大，確保晶閘管模塊安全運(yùn)行，常在晶閘管兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)，利用電容兩端電壓不能突變的特性來(lái)限制電壓上升率。因?yàn)殡娐房偸谴嬖陔姼械?變壓器漏感或負(fù)載電感)，所以與電容C串聯(lián)電阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C電路在過(guò)渡過(guò)程中，因振蕩在電容器兩端出現(xiàn)的過(guò)電壓損壞晶閘管模塊。同時(shí)，避免電容器通過(guò)晶閘管模塊放電電流過(guò)大，造成過(guò)電流而損壞晶閘管。
        由于晶閘管模塊過(guò)流過(guò)壓能力很差，如果不采取可靠的保護(hù)措施是不能正常工作的。RC阻容吸收就是常用的保護(hù)方法之一。采購(gòu)可控硅歡迎訪問(wèn)昆二晶官網(wǎng)。
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