一種新型器件的誕生往往使整個(gè)裝置系統(tǒng)面貌發(fā)生巨大改觀，促進(jìn)電力電子技術(shù)向前發(fā)展。自1957年第一個(gè)晶閘管模塊問(wèn)世以來(lái)，經(jīng)過(guò)40多年的開(kāi)發(fā)和研究，已推出可關(guān)斷晶閘管(GTO)，絕緣柵雙極晶閘管(IGBT)等40多種電力半導(dǎo)體器件，目前正沿著高頻化、大功率化、智能化和模塊化的方向發(fā)展，本文將簡(jiǎn)要介紹模塊化發(fā)展趨勢(shì)。
        所謂模塊，最初定義是把兩個(gè)或兩個(gè)以上的電力半導(dǎo)體芯片按一定電路聯(lián)成，用RTV、彈性硅凝膠、環(huán)氧樹(shù)脂等保護(hù)材料，密封在一個(gè)絕緣的外殼內(nèi)，并與導(dǎo)熱底板絕緣而成。自上世紀(jì)70年代SemikronNurmbeg把模塊原理(當(dāng)時(shí)僅限于晶閘管和整流二極管)引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域以來(lái)，因此模塊化就受到世界各國(guó)電力半導(dǎo)體公司的重視，開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)出各種內(nèi)部電聯(lián)接形式的電力半導(dǎo)體模塊，如晶閘管、整流二極管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、光控晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、電力晶體管(GTR)、MOS可控晶閘管(MCT)、電力MOSFET以及絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等模塊，使模塊技術(shù)得到蓬勃發(fā)展，在器件中所占比例越來(lái)越大。

        據(jù)美國(guó)在上世紀(jì)90年代初統(tǒng)計(jì)，在過(guò)去十幾年內(nèi)，300A以下的分立晶閘管、整流二極管以及20A以上達(dá)林頓晶體管市場(chǎng)占有量已由90%降到20%，而上述器件的模塊卻由10%上升到80%，可見(jiàn)模塊發(fā)展之快。
        隨著MOS結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)的現(xiàn)代半導(dǎo)體器件研發(fā)的成功，亦即用電壓控制、驅(qū)動(dòng)功率小、控制簡(jiǎn)單的IGBT、電力MOSFET、MOS控制晶閘管(MCT)和MOC控制整流管(MCD)的出現(xiàn)，開(kāi)發(fā)出把器件芯片與控制電路、驅(qū)動(dòng)電路、過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)熱和欠壓保護(hù)電路以及自診斷電路組合，并密封在同一絕緣外殼內(nèi)的智能化電力半導(dǎo)體模塊，即IPM。
        為了更進(jìn)一步提高系統(tǒng)的可靠性，適應(yīng)電力電子技術(shù)向高頻化、小型化、模塊化發(fā)展方向，有些制造商在IPM的基礎(chǔ)上，增加一些逆變器的功能，將逆變器電路(IC)的所有器件都以芯片形式封裝在一個(gè)模塊內(nèi)，成為用戶(hù)專(zhuān)用電力模塊(ASPM)，使之不再有傳統(tǒng)引線(xiàn)相連，而內(nèi)部連線(xiàn)采用超聲焊、熱壓焊或壓接方式相連，使寄生電感降到最小，有利于裝置高頻化。更多有關(guān)可控硅知識(shí)歡迎訪(fǎng)問(wèn)昆二晶官網(wǎng)。
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