可控硅模塊產(chǎn)生過電流的原因多種多樣，當(dāng)變流裝置內(nèi)部元件損壞、控制或觸發(fā)系統(tǒng)發(fā)生故障、可逆?zhèn)鲃迎h(huán)流過大或逆變失敗、交流電壓過高、過低或缺相、負(fù)載過載等，均會引起裝置中電力電子器件的電流超過正常工作電流。
       由于可控硅模塊的過流能力比一般電氣設(shè)備低得多，因此，必須對可控硅模塊采取過電流保護(hù)措施。

       下面可控硅廠家昆二晶為大家講解可控硅模塊裝置中可能采用的4種過電流保護(hù)措施：
       1、交流進(jìn)線串接漏抗大的整流變壓器利用電抗限制短路電流，但此種方法在交流電流較大時存在交流壓降。
       2、電檢測和過流繼電器電流檢測是用取樣電流與設(shè)定值進(jìn)行比較，當(dāng)取樣電流超過設(shè)定值時，比較器輸出信號使移相角增大或拉逆變以減少電流。有時須停機。
       3、直流快速開關(guān)對于變流裝置功率大且短路可能性較多的場合，可采用動作時間只有2ms的直流快速開關(guān)，它能夠先于快速熔斷器斷開而保護(hù)了可控硅模塊，但價格昂貴使用不多。
       4、快速熔斷器與普通熔斷器比較，快速熔斷器是專門用來保護(hù)電力半導(dǎo)體功率器件過電流的元件，它具有快速熔斷的特性，在流過6倍額定電流時其熔斷時間小于工頻的一個周期（20ms）?？焖偃蹟嗥骺山釉诮涣鱾?cè)、直流側(cè)或與可控硅橋臂串聯(lián)，后者直接效果較好。一般說來快速熔斷器額定電流值（有效值IRD）應(yīng)小于被保護(hù)可控硅模塊的額定方均根通態(tài)電流（即有效值）ITRMS即1.57ITAV，同時要大于流過可控硅的實際通態(tài)方均根電流（即有效值）IRMS。
        以上就是昆二晶可控硅模塊為大家講解的可控硅模塊裝置中可能采用的4種過電流保護(hù)措施，更多詳情在昆二晶官網(wǎng)查看。
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