可控硅模塊的五種主要參數(shù)有哪些?
可控硅模塊常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,等等。
可控硅模塊的主要參數(shù)有:
1、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。
2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào),陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí),可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓??煽毓枘K承受的正向電壓峰值,不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。
3、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅模塊加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。
4、控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí),可控硅模塊從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的最小控制極電流和電壓。
5、維持電流IH在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅模塊導(dǎo)通所必需的最小陽(yáng)極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世,如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等。更多有關(guān)可控硅晶閘管知識(shí)歡迎訪(fǎng)問(wèn)昆二晶官網(wǎng)。
昆二晶可控硅模塊真專(zhuān)家,為了您滿(mǎn)意,我們真的走心了。若對(duì)我們的可控硅模塊有興趣或存在疑惑,昆二晶歡迎您咨詢(xún),咨詢(xún)電話(huà):0577-62627555!
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1、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。
2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào),陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí),可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓??煽毓枘K承受的正向電壓峰值,不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。
3、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅模塊加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。
4、控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí),可控硅模塊從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的最小控制極電流和電壓。
5、維持電流IH在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅模塊導(dǎo)通所必需的最小陽(yáng)極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世,如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等。更多有關(guān)可控硅晶閘管知識(shí)歡迎訪(fǎng)問(wèn)昆二晶官網(wǎng)。
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