我們都知道晶閘管的di/dt，就是我們常說的通態(tài)電流上升率。在晶閘管的使用中，di/dt這項(xiàng)參數(shù)的變化與晶閘管性能的體現(xiàn)有著密切關(guān)系。下面就為大家詳細(xì)說說晶閘管通態(tài)電流上升率過高的四大注意事項(xiàng)：
    (1) 晶閘管的di/dt承受能力與其芯片結(jié)溫有直接關(guān)系，di/dt承受能力隨著溫度的上升會(huì)有明顯的下降。因此用戶在使用時(shí)必須保證器件的散熱條件。要求在工作過程中，普通晶閘管：Tj≤125°C，高頻、快速晶閘管：Tj≤115°C。
    (2) 晶閘管的di/dt承受能力實(shí)際反映了器件的電流快速開通能力，它受器件門極觸發(fā)條件影響很大。采用上升率極陡的強(qiáng)觸發(fā)脈沖，可以明顯減小器件開通時(shí)間和開通損耗，增強(qiáng)器件di/dt承受能力。觸發(fā)脈沖要求為：觸發(fā)電流幅值：IGM = (4至10倍) IGT；觸發(fā)電流上升時(shí)間：tr小于1µs。

    (3) 晶閘管在承受過高的di/dt時(shí)，會(huì)在其芯片產(chǎn)生局部瞬時(shí)高溫，這種局部瞬時(shí)高溫在長(zhǎng)期工作中會(huì)影響器件的工作壽命。因此，使用者在任何時(shí)候，都應(yīng)保證di/dt不應(yīng)超過器件生產(chǎn)廠家給出的規(guī)定值，并且留有一定裕量。
    (4) 晶閘管的di/dt與其開通損耗關(guān)系極大，晶閘管高di/dt應(yīng)用于高頻率場(chǎng)合時(shí)，需考慮開通損耗上升引起的結(jié)溫上升，用戶應(yīng)考慮降低器件通過的通態(tài)電流或增強(qiáng)器件散熱能力。  
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