晶閘管模塊是一種電流控制型的雙極型半導(dǎo)體器件，它求門(mén)極驅(qū)動(dòng)單元類似于一個(gè)電流源，能向晶閘管模塊的門(mén)極提供一個(gè)特別陡直的尖峰電流脈沖，以保證在任何時(shí)刻均能可靠觸發(fā)晶閘管模塊。晶閘管模塊的門(mén)極觸發(fā)脈沖特性對(duì)晶閘管的額定值和特性參數(shù)有非常強(qiáng)烈的影響。我們建議用戶應(yīng)用中采用強(qiáng)觸發(fā)方式，觸發(fā)脈沖電流幅值IG大于或等于10IGT；脈沖上升時(shí)間tr≤1μs。為了保證器件可靠工作，IG必須遠(yuǎn)大于IGT。
       但在實(shí)際應(yīng)用中，許多用戶觸發(fā)脈沖電流幅值和脈沖上升時(shí)間遠(yuǎn)未能滿足上述要求。尤其在電機(jī)軟啟動(dòng)領(lǐng)域，許多整機(jī)廠給出的觸發(fā)脈沖非常臨界，某些情況下竟無(wú)法讓元件開(kāi)通。在中頻電源領(lǐng)域，逆變器件的觸發(fā)脈沖一般陡度較差。針對(duì)不同門(mén)極觸發(fā)條件對(duì)晶閘管模塊開(kāi)通特性的影響問(wèn)題，我們進(jìn)行了一系列的模擬試驗(yàn)。
       1．一般要求：
       鑒于晶閘管模塊的門(mén)極觸發(fā)脈沖特性對(duì)晶閘管開(kāi)通過(guò)程的影響。好的觸發(fā)脈沖可以使器件的開(kāi)通時(shí)間縮短、開(kāi)通損耗減小、器件耐受di/dt的能力增強(qiáng)。用戶應(yīng)用中應(yīng)采用強(qiáng)觸發(fā)方式；
       觸發(fā)脈沖電流幅值：IG=10IGT；
       脈沖上升時(shí)間：tr≤1ms；
       門(mén)極脈沖寬度大于50微秒;
       為了保證器件可靠工作，IG必須遠(yuǎn)大于IGT。
       2．高di/dt下運(yùn)用：
       器件在高di/dt下運(yùn)用時(shí)，特別是當(dāng)晶閘管模塊的阻斷電壓很高時(shí)，在開(kāi)通過(guò)程中門(mén)-陰間橫向電阻所產(chǎn)生的電壓可能會(huì)超過(guò)門(mén)極電壓，嚴(yán)重時(shí)，甚至?xí)归T(mén)極電流倒流。這種負(fù)的門(mén)極電流會(huì)引起開(kāi)通損耗增加或器件因di/dt損壞?？赡軙?huì)導(dǎo)致器件高di/dt損壞。
       如果一只Y50KKE器件在VG10V，di/dt1200A/μs條件下的IG波形。可見(jiàn)在器件開(kāi)通1ms后，出現(xiàn)了門(mén)極電流倒流的現(xiàn)象。

       因此，我們要求在高di/dt下運(yùn)用時(shí)，門(mén)極觸發(fā)電源電壓VG不低于20V，或在門(mén)極線路上串聯(lián)二極管，防止門(mén)極電流倒流。
       3．晶閘管模塊串并聯(lián)使用
       晶閘管模塊的串聯(lián)：晶閘管串聯(lián)管應(yīng)用時(shí)，要求其相互串聯(lián)的每個(gè)晶閘管模塊應(yīng)盡可能地一致開(kāi)通，這是因?yàn)檩^慢開(kāi)通的器件可能承受過(guò)電壓，這就要求同組相串聯(lián)的晶閘管模塊之間有最小的門(mén)極開(kāi)通延遲時(shí)間偏差Δtd，而強(qiáng)的門(mén)極觸發(fā)脈沖能使這個(gè)延遲時(shí)間偏差Δtd降到最小。
       晶閘管模塊的并聯(lián)：陡而強(qiáng)的門(mén)極觸發(fā)脈沖能使并聯(lián)晶閘管模塊開(kāi)通特性的不平衡降至最小，從而使有最佳的均流效果。
       在晶閘管模塊串并聯(lián)使用時(shí)，要求：
       IGM≈1-3A
       diG/dt≥1A/ms
       tr≤1ms
       tp(IGM)=5-20ms
       昆二晶晶閘管模塊真專家，為了您滿意，我們真的走心了。若對(duì)我們的晶閘管模塊有興趣或存在疑惑，昆二晶歡迎您咨詢，咨詢電話：0577-62627555！