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晶閘管模塊工作時(shí)高di/dt時(shí)需注意事項(xiàng)

來源:昆二晶發(fā)布日期:2018-12-24關(guān)注:-
        眾所周知晶閘管模塊的di/dt承受能力與其芯片結(jié)溫有直接關(guān)系,di/dt承受能力隨著溫度的上升會(huì)有明顯的下降。因此用戶在使用時(shí)必須保證器件的散熱條件。要求在工作過程中,普通晶閘管:Tj≤125°C,高頻、快速晶閘管:Tj≤115°C。
        晶閘管模塊的di/dt承受能力實(shí)際反映了器件的電流快速開通能力,它受器件門極觸發(fā)條件影響很大。采用上升率極陡的強(qiáng)觸發(fā)脈沖,可以明顯減小器件開通時(shí)間和開通損耗,增強(qiáng)器件di/dt承受能力。我們建議的觸發(fā)脈沖要求為:
        觸發(fā)電流幅值:IGM = (4至10倍) IGT
        觸發(fā)電流上升時(shí)間:tr小于1µs。

晶閘管模塊


        晶閘管模塊在承受過高的di/dt時(shí),會(huì)在其芯片產(chǎn)生局部瞬時(shí)高溫,這種局部瞬時(shí)高溫在長期工作中會(huì)影響器件的工作壽命。因此,使用者在任何時(shí)候,都應(yīng)保證di/dt不應(yīng)超過器件生產(chǎn)廠家給出的規(guī)定值,并且留有一定裕量。
        晶閘管模塊的di/dt與其開通損耗關(guān)系極大,晶閘管模塊高di/dt應(yīng)用于高頻率場(chǎng)合時(shí),需考慮開通損耗上升引起的結(jié)溫上升,用戶應(yīng)考慮降低器件通過的通態(tài)電流或增強(qiáng)器件散熱能力。
        綜上所述,增強(qiáng)器件局部瞬時(shí)浪涌時(shí)的溫度承受能力,即晶閘管模塊結(jié)溫上升越小越好,就能大大提升器件的 di/dt能力。要做到這一點(diǎn),關(guān)鍵是散熱器的瞬態(tài)熱阻要小。
        昆二晶晶閘管模塊真專家,為了您滿意,我們真的走心了。若對(duì)我們的晶閘管模塊有興趣或存在疑惑,昆二晶歡迎您咨詢,咨詢電話:0577-62627555!

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